升压芯片或者内置升压的功放烧片烧片的常见原因有两个：一是开关管的过冲超过了工艺的极限参数，这个之前的文章介绍过很多次，这里不再详述。另外一个是今天聊的重点，也是大家非常容易忽视的地方—电解电容。

Boost升压，环路必须要稳定，稳定性是由电感、输出电容、补偿线路决定的。如果输出电容选择不恰当，或者输出电容质量问题，会引起环路震荡，LX震荡、PVOUT震荡，最终导致芯片损坏。

小编遇到一个1%芯片损坏问题，更换芯片后，发现升压线路出现震荡，PVOUT和LX起伏震荡较大，随时会超出工艺极限，导致损坏。

确定这种震荡是外围器件引起的，更换电感后没有明显改善。

加大陶瓷电容有改善，PVOUT上的陶瓷电容从22uF改为44uF后不再震荡。

但是需要两颗X7R的22uF，成本略高，另外理论上，PVOUT上已经有470uF电解电容，容量足够大，不应该导致该问题。

所以把重点放到电解电容，陶瓷电容保持与原来不变，更换电解电容后，不再震荡。

那么电解电容怎么会导致震荡呢？

下面把这个电解电容进行测试。把470uF电解电容和1K电阻串联，加入50%占空比方波做交流源。

一个RC的时间是465ms，所以容量是对的。但是重点来了，电容充电的起始点发现异常，不是从0开始，而是有一个固定的电压。这个极有可能是电解电容已经损坏，或者内部寄生阻抗太大，甚至达到了100欧的级别，导致环路出现了不稳定，震荡。

正常电解电容充放电过程应该是下图：

总结：电解电容简单、常用，所以我们也常常忽视电解电容的品质管理，但这对于升压的影响却是很大的。