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1~2节锂电池开关型充电芯片VAS5175A
应用场景：
降压型1~2节锂电池充电
特点：
●1MHz同步降压
●可编程（最大2A）恒流充电
●高达93%的效率
●双LED充电指示
●温度补偿、过温度保护
●电池短路保护
●电池温度检测、异常保护
●高精度
■ ±1% 电池电压(CV)
■ ±10% 充电电流(CC)
VAS5175A双节串联锂电池充电
注：
1. 双节充电设置：CELL引脚浮空。
2. 输入使用肖特基二极管做防逆灌。
3. 充电电流等于30mV/RSNS，例如：RSNS=20mΩ，充电电流=30mV/20mΩ=1.5A。
4. LX须使用RC减震线路；LX对GND使用肖特基续流二极管可以提升3%以上效率。
5. VIN 9.0~12V，输入电解可以不使用；VIN>12V，须放置一颗100uF的电解电容来吸收电源插入时的浪涌
与突破。
6. TS需加0.1uF的滤波电容,消除TS浮空或纯电阻下拔插产生杂讯所导致的误动作。TS接地可屏蔽NTC功能。
7. 充电RLED/BLED为ON/OFF；充饱或电池未接时RLED/BLED为OFF/ON；温度异常或电池短路时LED交互闪烁。
8. 充饱后, BLED转为ON, 开始36分钟的背景涓充,计时完毕后停止充电。
9. 自带热反馈调节, IC EP要接PCB地铺铜。
VAS5175A单节锂电池充电
注：
1. 单节充电设置：CELL引脚接GND。
2. VIN<5.5V时，输入使用PMOS防逆灌；VIN>5.5V时，输入可以使用肖特基防逆灌（参考典型应用一）
3. 充电电流等于30mV/RSNS，例如：RSNS=20mΩ，充电电流=30mV/20mΩ=1.5A。
4. LX须使用RC减震线路；LX对GND使用肖特基续流二极管可以提升3%以上效率。
5. VIN 9.0~12V，输入电解可以不使用；VIN>12V，须放置一颗100uF的电解电容来吸收电源插入时的浪涌
与突破。
6. TS需加0.1uF的滤波电容,消除TS浮空或纯电阻下拔插产生杂讯所导致的误动作。TS接地可屏蔽NTC功能。
7. 充电RLED/BLED为ON/OFF；充饱或电池未接时RLED/BLED为OFF/ON；温度异常或电池短路时LED交互闪烁。
8. 充饱后, BLED转为ON, 开始36分钟的背景涓充,计时完毕后停止充电。
9. 自带热反馈调节, IC EP要接PCB地铺铜。
双面面玻纤板设计
1. 红色为电流路径，请增大走线。
2. IC的EP须与底层GND相连。
3. 输入1uF+0.1uF（C4+C3）的Cap起稳压及滤波作用，布板时尽量靠近IC,并且GND端要与IC的GND（底部焊盘）以最短距离相连。特别注意：如此点未处理好，会导致工作异常或数据跑偏。
4. BS的Cap（C2），要尽量靠近IC，走线不宜过长。
5. CS、BAT的直接从RSNS（R3）两端采样，避免走线带来的阻抗导致电流的偏移。
6. CS、BAT前的两颗0.1uF的滤波电容（C5+C6），布板时尽量靠近IC，两颗电容需要共地，并且GND端要与IC的GND（底部焊盘）以最短距离相连。
7. 输入与输出的电解电容，要更好的达到效果，电流路径必须经过此电解电容，如图C1A、C8A所示。
单面玻纤板设计
1. 红色为电流路径，请增大走线。
2. 蓝色为GND路径，请严格按照此路走线。
3. 如果充电电流大于1A，为了避免输入GND走线过细的问题，C2可以换成插件使用在BS与LX之间，以增加输入GND的延续性。
4. 输入1uF+0.1uF（C4+C3）的Cap起稳压及滤波作用，布板时尽量靠近IC，并且GND端要与IC的GND（底部焊盘）以最短距离相连。特别注意：如此点未处理好，会导致工作异常或数据跑偏。
5. BS的Cap（C2），要尽量靠近IC，走线不宜过长。
6. CS、BAT的直接从RSNS（R3）两端采样，避免走线带来的阻抗导致电流的偏移。
7. CS、BAT前的两颗0.1uF的滤波电容（C5+C6），布板时尽量靠近IC,两颗电容需要共地，并且GND端要与IC的GND（底部焊盘）以最短距离相连。
8. 输入与输出的电解电容，要更好的达到效果，电流路径必须经过此电解电容，如图C1A、C8A所示。
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