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采用小型低电阻封装，实现更低的导通电阻
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。
这两款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造，采用小型低电阻封装，具备低导通电阻，因此有助于降低导通损耗。与东芝上一代设计(U-MOS IV)相比，U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声，有助于降低EMI（电磁干扰）。
SOP Advance (WF)封装采用“可沾锡侧翼”(wettable flank)端子结构，支持在焊接之后进行自动光学检测(AOI)
应用场合
特点
- 由于采用U-MOS IX-H工艺和SOP Advance(WF)封装，实现了0.79mΩ的最大导通电阻（RDS(ON)最大值）。
- 低噪音特性降低了电磁干扰(EMI)。
- 采用可沾锡侧翼端子结构，支持小型低电阻封装。
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主要规格
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（除非另作说明，@Ta=25°C）
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产品型号
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漏源极
电压
VDSS
(V)
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漏极
电流
（直流）
ID
(A)
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漏源极
导通电阻
RDS(ON)最大值(mΩ)
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栅源极
之间
内置
稳压二极管
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系列
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@VGS=6V
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@VGS=10V
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TPH1R104PB
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40
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120
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1.96
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1.14
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否
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U-MOS IX
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TPHR7904PB
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150
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1.3
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0.79
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否
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U-MOS IX
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