具体各个频率点超标解决方案如下：

1MHz以内：

以差模干扰为主1.增大X电容量；2.添加差模电感；3.小功率电源可采用PI型滤波器处理（建议靠近变压器的电解电容可选用较大些）。

1M-5MHz：

差模共模混合，采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决；

5MHz：

以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的，在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减（diudiu2006）;对于 25--30MHZ不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器。

1M-5MHZ：

差模共模混合，采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，1.对于差模干扰超标可调整X电容量，添加差模电感器，调差模电感量;2.对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制；3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管 1N4007。

5MHz以上：

以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。

对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环。处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

对于20M-30MHz：

1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；

2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；

3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。

4.改变PCB Layout；

5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；

6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；

7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；

8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。

9.可以用增大MOS驱动电阻。

30M-50MHz：

1.普遍是MOS管高速开通关断引起，可以用增大MOS驱动电阻，RCD缓冲电路采用1N4007慢管，VCC供电电压用1N4007慢管来解决。

2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；

3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；

4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；

5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；

6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；

7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；

8.PCB LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；

9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50M-100MHZ：

普遍是输出整流管反向恢复电流引起，

1.可以在整流管上串磁珠；

2.调整输出整流管的吸收电路参数；

3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；

4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。

5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。

100M-200MHz：

普遍是输出整流管反向恢复电流引起，可以在整流管上串磁珠100MHz-200MHz之间大部分出于PFCMOSFET及PFC二极管，现在MOSFET及PFC二极管串磁珠有效果，水平方向基本可以解决问题，但垂直方向就很无奈了。

开关电源的辐射一般只会影响到100M以下的频段。也可以在MOS，二极管上加相应吸收回路，但效率会有所降低。

200MHz以上：

开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准。